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今晚福彩3d直播:中科院903萬采購等離子設備 助力波導器件研發

儀器信息網 2019/07/31 18:23:36 點擊 505 次
默克工藝
[導讀] 7月30日,中國科學院半導體研究所曝出儀器設備采購需求,將以903萬的價格采購兩臺等離子設備。用于波導器件中包層薄膜的沉積以及刻蝕鈮酸鋰材料。

官方pc蛋蛋开奖历史查询 www.trluz.com 730日,中國科學院半導體研究所曝出儀器設備采購需求,將以903萬的價格采購兩臺等離子設備。兩臺設備分別為厚氮化硅感應耦合等離子體化學氣相沉積臺和硅基鈮酸鋰薄膜電感耦合等離子刻蝕機。前者用于光波導器件表面的氧化硅及氮化硅薄膜淀積,適用于波導器件中包層薄膜的沉積。后者用于堅硬材料刻蝕形成波導,專為刻蝕鈮酸鋰材料研發,也可刻蝕氧化硅等材料。

項目名稱:2019年中國科學院半導體研究所科研儀器設備采購項目(第三批)

項目編號:OITC-G190330983 

采購單位聯系方式:

采購單位:中國科學院半導體研究所

地址:北京市海淀區清華東路甲35

聯系方式:010-82304941/010-82304907

代理機構聯系方式:

代理機構:東方國際招標有限責任公司

代理機構聯系人:010-68290507

代理機構地址:北京市海淀區清華東路甲35

采購詳情如下:

包號

貨物名稱

數量(臺/套)

是否允許進口

預算(萬元)

1

厚氮化硅感應耦合等離子體化學氣相沉積臺

1

398

2

硅基鈮酸鋰薄膜電感耦合等離子刻蝕機

1

505

各設備工藝技術規格詳情:

厚氮化硅感應耦合等離子體化學氣相沉積臺

(1)氧化硅薄膜沉積

*3.15.1.1折射率(1550nm下測量)

1.44-1.52可調

#3.15.1.2折射率均勻性

< +/-0.01

#3.15.1.3折射率重復性

< +/-0.01

*3.15.1.4厚度

20μm

3.15.1.5樣品尺寸

3英寸

3.15.1.6沉積速度

> 1500A/min

#3.15.1.7片內厚度均勻性

< +/-3%

3.15.1.7片與片厚度均勻性

< +/-5%

3.15.1.9硅的應力 (1微米薄膜厚度測試)

< -300MPa 壓應力

(2)氮化硅薄膜沉積

#3.15.2.1折射率(1550nm下測量)

1.8-2.2可調

#3.15.2.2折射率均勻性

< +/-0.01

3.15.2.3折射率重復性

< +/-0.01

3.15.2.4沉積速度

> 200A/min

3.15.2.5樣品尺寸

3英寸

#3.15.2.6片內厚度均勻性

< +/-3%

3.15.2.7片與片厚度均勻性

< +/-5%

3.15.2.8硅的應力 (1微米薄膜厚度測試)

< 100MPa 伸應力

 

硅基鈮酸鋰薄膜電感耦合等離子刻蝕機

1) 鈮酸鋰刻蝕工藝

3.15.1.1刻蝕材料

鈮酸鋰

3.15.1.2刻蝕結構

線寬100nm-1μm波導

3.15.1.3掩膜

>200nmCr硬掩模。

所有刻蝕掩膜必須為挺直,側壁角度>80°

3.15.1.4曝露面積

80%

3.15.1.5刻蝕深度

300-700nm

3.15.1.6刻蝕速度

>30nm/min

*3.15.1.7片內刻蝕深度均勻性

<±3%

#3.15.1.8片與片刻蝕深度均勻性

<±5%

*3.15.1.9對應硬掩模選擇比

>5:1

*3.15.1.10側壁傾角

>75°

*3.15.1.11側壁粗糙度

10nm 


2) 氧化硅刻蝕工藝

3.15.2.1刻蝕材料

氧化硅

3.15.2.2刻蝕結構

線寬5-10μm波導

3.15.2.3掩膜

>3umPR。

所有刻蝕掩膜必須為挺直,側壁角度>80°

3.15.2.4曝露面積

<15%

3.15.2.5刻蝕深度

6-15um

3.15.2.6刻蝕速度

>3000A/min

#3.15.2.7片內刻蝕深度均勻性

<±3%

#3.15.2.8片與片刻蝕深度均勻性

<±5%

3.15.2.9對應光刻膠選擇比

>3:1

3.15.2.10角度

>85°

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編輯: 李易明
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